壓強與沸點關系實驗儀

壓強與沸點關系實驗儀  型號：DP-LB-PB

壓強與沸點關系實驗儀  型號：DP-LB-PB介紹

壓強與沸點關系實驗儀  型號：DP-LB-PB本實驗儀用于普通物理實驗教學。測量水的沸點與蒸氣壓的關系曲線。采用負壓系統，安全電壓加熱，實驗安全可靠。

雙通道電流校驗器/電流校驗器   型號：DP-XPX116A型

DP-XPX116A型雙通道電流校驗器是手持式現場校驗儀，可同時模擬和測量直流電流信號，S輸入/輸出隔離。非穩壓24V直流電壓輸出可顯示回路電流。適用于石油、化工、電力等系統對現場各種電流參數校驗。

雙通道電流校驗器參數：

 輸入mA阻抗： mA約10Ω
 輸出24V負載： 20mA（非穩壓）
 穩定性： 短期24小時±1LSD，長期20天±2LSD
 輸出噪音： 小于1LSD
 輸入/書粗隔離： 200V DC
 工作溫度： 5—40℃
 環境溫度影響： 0.01%FS / ℃
 充電后使用時間： 20mA輸出約8小時
 低電池指示： “LOW BATTERY”
 顯示： 四位半液晶顯示數據
 外形尺寸： 170×84×50mm
 重量： 約1kg

現場直流電流校驗信號發生器/信號發生器    型號：DP-XPX116B

DP-XPX116B電壓電流源，可輸出0—24.00mA，0—11.000V，0—110.00mV。適用于電力、化工等熱門現場校驗及使用。

 輸入阻抗： mV約0.5Ω，V約2Ω，mA約10Ω

 輸出噪音： 小于1LSD
 工作溫度： 5—40℃
 環境溫度影響： ±0.01%FS / ℃
 充電時間及使用時間：充電14—16小時充足，連續輸出20mA可使用4小時以上
 低電池指示： “LOW BATTERY”
 顯示： 四位半液晶顯示數據
 外形尺寸： 170×84×50mm
 重量： 約1kg

磁性薄膜磁電阻率測量儀/電阻率測量儀   型號：DP-SB100A型

DP-SB100A為原DP-SB100的改型。
 
DP-SB100A由磁場電源DP-SB119型穩壓電源，DP-SB118型直流電壓電流源，DP-PZ158A型直流數字電壓表以及DP-SB120四探針線圈樣品平臺四部分組成。
l            磁場電源：DP-SB119型直流穩壓電源能產生0-60V連續可調電壓，Z大額定電流為5A輸出。
l            DP-SB118型電壓電流源：是臺4½位的電壓源及電流源，既可輸出5µV-50V，5檔可調電壓，基本誤差為±（0.1%RD+0.02%FS）又可輸出1nA-100mA，5檔可調電流，基本誤差為±（0.03%RD+0.02%FS）。
l            DP-PZ158A直流數字電壓表：其為1臺6½位的Z分辨力可達0.1µV，可測量0-1000V直流電流的儀表?；玖砍痰幕菊`差為±（0.002%RD+0.0005%FS）。
l            DP-SB120線圈樣品平臺：其由底盤，可旋轉360º的襯盤，在底盤上的樣品小平臺以及在樣品小平臺上安置的四探針組成。DP-SB120/1線圈樣品平臺即亥姆霍茲磁場線圈平臺，其由2只相同類型的線圈分別固定在樣品平臺的襯盤兩側。該線圈可以圍繞樣品小平臺作360º轉動，在線圈通電0—60V/5A的情況下，可確保產生磁場0-150奧斯。

四探針導體/半導體電阻率測量儀    型號：DP-SB100A/20型

DP-SB100A/20型四探針導體/半導體電阻率測量儀是DP-SB100A/2的改型，其由DP-SB118/20型電壓電流源，DP-PZ158A型直流電壓表以及DP-SB120/2四探針樣品平臺三臺儀器構成。可用于校的物理教育實驗，對導體/半導體薄膜樣品的電阻和電阻率行測試及研究。由于本產品為組合式構思且帶有RS232C接口輸出，因此為儀表的多用途以及靈活性提供了方便。
DP-SB118/20型直流電壓電流源 （帶RS232C接口，詳見該產品使用說明書）
l         直流電壓源：輸出電壓范圍  0~50V  分20mV、200mV、2V、20V、50V五檔，每檔輸出電壓可連續調節，Z分辨力為1µV，基本誤差為0.1%。
l         直流電流源：輸出電流范圍  0~200mA  分20µA、200µA、2mA、20mA、200mA五檔，每檔輸出電流可連續調節，Z分辨力為1nA，基本誤差為0.03%。
l         儀器后面板配有二個RS232C接口,，個為DP-PZ158A/RS232C接口連接至DP-PZ158A，另個為PC/RS232C接口連接至PC機上，可利用PC機上的“終端”獲得儀器的測量數據。
DP-PZ158A型數字電壓表（詳見該產品使用說明書）
可測量0~1000V直流電壓  具有200mV、2V、20V、200V、1000V五檔量程，Z分辨力為0.1µV，基本誤差為0.003%。
DP-SB120/2四探針樣品平臺（詳見該產品使用說明書）
為被測薄膜樣品，利用四探針測量方式測量導體/半導體樣品的電阻和電阻率，提供了方便。

注:產品詳細介紹資料和上面顯示產品圖片是相對應的